–PAGE_BREAK–
Электронно-лучевое экспонирование.
Введение.
В традиционной фотолитографии резисты экспонируются незаряженными фотонами ультрафиолетового диапазона. Из теории дифракции и практической микроскопии известно, что разрешение ограниченно длинной волны используемого излучения. При использовании некоторых видов излучения высокой энергии шаблоны могут не применятся, что ведет, с одной стороны, к снятию ограничения по разрешению, с другой к снижению производительности процесса экспонирования и росту производственных затрат.
–PAGE_BREAK–
Рентгеновское и ионно-лучевое экспонирование.
Рентгеновское излучение.
В простейшем случае в рентгеновской (рис. 23) и ионно-лучевой литографии используется теневой шаблон. Недостатки такой схемы связаны с возникновением полутени, обусловленной размерами (неточностью) источника и зазором между шаблоном и пластиной; аналогичные эффекты наблюдаются при использовании диффузного оптического источника в фотолитографии.
Качественная печать обеспечивается при наличии четырех составляющих:
1) высокоинтенсивного коллимированного источника;
2) механического, электрического, оптического или ЭЛ совмещения шаблона с заданной точностью;
3) прецизионного контроля зазора;
4) недорогого мембранного либо трафаретного шаблона.
Искажение, возникающие при облучении шаблона расходящимся пучком (рис. 23), равно Dr/r=Dd/l, где l расстояние между шаблоном и источником, Dd зазор между пластиной и шаблоном (рис. 24). Субмикронная печать обеспечивается при зазоре шаблон пластина порядка 1 мкм. Искривления пластины, возникающие в ходе многих стандартных технологических процессов, делает такой зазор трудно достижимым.
.
–PAGE_BREAK–