Коммуникации и связь

Данные для расчёта Вариант № 2 1 Материал: ситалл СТ – 50. 2 Размеры заготовки: 60 ´ 48 мм. 3 Тип и размер платы: № 5, 24 ´ 30 мм. …

Производственный процесс изготовления микросхем Перейти к работе »

Данные для расчёта Вариант № 2 1 Материал: ситалл СТ – 50. 2 Размеры заготовки: 60 ´ 48 мм. 3 Тип и размер платы: № 5, 24 ´ 30 мм. …

Производственный процесс изготовления микросхем Перейти к работе »

Данные для расчёта Вариант № 2 1 Материал: ситалл СТ – 50. 2 Размеры заготовки: 60 ´ 48 мм. 3 Тип и размер платы: № 5, 24 ´ 30 мм. …

Производственный процесс изготовления микросхем Перейти к работе »

Министерство образования и науки Украины Факультет Электронные аппараты Кафедра: Проектирование и эксплуатация электронных аппаратов КУРСОВОЙ ПРОЕКТ Пояснительная записка Частотомер многофункциональный на однокристальном микроконтроллере АТ89С2051 Студент гр. ПЕА-00-1 Кошкарёв В.В. 2004 …

Частотомер многофункциональный на однокристальном микроконтроллере АТ89С2051 Перейти к работе »

Министерство образования и науки Украины Факультет Электронные аппараты Кафедра: Проектирование и эксплуатация электронных аппаратов КУРСОВОЙ ПРОЕКТ Пояснительная записка Частотомер многофункциональный на однокристальном микроконтроллере АТ89С2051 Студент гр. ПЕА-00-1 Кошкарёв В.В. 2004 …

Частотомер многофункциональный на однокристальном микроконтроллере АТ89С2051 Перейти к работе »

Министерство образования и науки Украины Факультет Электронные аппараты Кафедра: Проектирование и эксплуатация электронных аппаратов КУРСОВОЙ ПРОЕКТ Пояснительная записка Частотомер многофункциональный на однокристальном микроконтроллере АТ89С2051 Студент гр. ПЕА-00-1 Кошкарёв В.В. 2004 …

Частотомер многофункциональный на однокристальном микроконтроллере АТ89С2051 Перейти к работе »

ЗАДАНИЕ НАКУРСОВОЙ ПРОЕКТ по проектированиюи конструированию полупроводниковых приборов и элементов ИМС 1. Тема: Определениепараметров модели биполярного транзистора в программе OrCAD 9.2. 2. Срокпредставления проекта к защите: 3. Исходные данныедля научного исследования: научно-техническая информация …

Определение параметров модели биполярного транзистора в программе OrCAD 9.2 Перейти к работе »

ЗАДАНИЕ НАКУРСОВОЙ ПРОЕКТ по проектированиюи конструированию полупроводниковых приборов и элементов ИМС 1. Тема: Определениепараметров модели биполярного транзистора в программе OrCAD 9.2. 2. Срокпредставления проекта к защите: 3. Исходные данныедля научного исследования: научно-техническая информация …

Определение параметров модели биполярного транзистора в программе OrCAD 9.2 Перейти к работе »

ЗАДАНИЕ НАКУРСОВОЙ ПРОЕКТ по проектированиюи конструированию полупроводниковых приборов и элементов ИМС 1. Тема: Определениепараметров модели биполярного транзистора в программе OrCAD 9.2. 2. Срокпредставления проекта к защите: 3. Исходные данныедля научного исследования: научно-техническая информация …

Определение параметров модели биполярного транзистора в программе OrCAD 9.2 Перейти к работе »

Контрольная работа по теме: Принцип построения высокочастотной части антенно-волноводнойсистемы, с поворотом вектора поляризации РАДИОЛОКАЦИОННАЯСТАНЦИЯ 9S35М1   Антенно-волноводнаясистема НАЗНАЧЕНИЕ. АВСпредназначена: — для формирования ДН (диаграммы направленности) на прием и передачу; — …

Принцип построения высокочастотной части антенно-волноводной системы, с поворотом вектора поляризации Перейти к работе »