Мониторинг атмосферного воздуха на территории влияния завода им. Малышева

Содержание
1.Изучение территории предприятия иосновных подразделений предприятия, а также прилегающих предприятий, территории
2.Изучение технологий производствана выбранных подразделениях предприятия и описание загрязняющих веществпоявляющихся в результате этих технологий
2.1 Принципы технологии
3. Изучение на местности прилегающихтерриторий, предприятий

1.Изучение территориипредприятия и основных подразделений предприятия, а также прилегающихпредприятий, территории
Вообще, анализ внешней средыпредприятия представляет собой процесс, посредством которого разработчикистратегического плана контролируют внешние по отношению к организации факторы,чтобы определить возможности и угрозы для предприятия. Для облегченияопределения влияния внешних факторов на предприятие их разделяют на 2 группы:
Факторы непосредственного(прямого) влияния на предприятие;
Факторы опосредованного(косвенного) влияния на предприятие.
Факторы непосредственноговлияния прямо влияют на предприятие и испытывают на себе влияние предприятия:поставщики, потребители, конкуренты. К основным факторам косвенного влиянияотносятся: экономические, политические, технологические, демографические,географические, экологические и социальные.
Начнем анализ с факторовнепосредственного влияния (по которым имеем мало информации):
Поставщики. Поставщикамиметаллов для предприятия являются предприятия, работающие вДонбасско-Приднепровском регионе Украины. Оборудование, в основном, закупаетсяза рубежом, т.к. харьковские предприятия после событий начала 90-х годов XX века перестали быть конкурентоспособными.Точнее, оборудование уже довольно давно не закупалось на предприятии. Данныепоставщики пока устанавливают вполне приемлемую цену на ресурсы, но привозможном повышении цен на ресурсы наше предприятие может оказаться переддилеммой, где покупать сырье, так как уже сейчас цены на украинском рынкеблизки к мировым.
Потребители. В связи соспецификой продукции, потребителями являются предприятия или организации, атакже государства. В дальнейшем уже они распределяют продукцию между физическимилицами (например, комбайны, производимые головным предприятием с использованиемдизельных двигателей Агрегатного завода, которые государство затем продавало поспециальным ценам фермерским хозяйствам). Мы замечаем, что потребители, восновном, покупают продукцию известных российских и западных компаний, а с чемэто связано — не известно. Давление на цены со стороны потребителей ненаблюдается, но имеет место выбор продукции других предприятий, наверное, из-заболее высокого качества.
Прямые конкуренты. Основныеконкуренты перечислены в предыдущем подразделе. Здесь добавим, что они оченьвлияют на предприятие в той его части, которая занимается двигателями общегопредназначения, а не спецпродукцией.
Товары-субституты. Как ужеговорилось, к товарам-субститутам относят двигатели на электроэнергии,солнечной энергии и прочих экологически чистых видах энергии. На территорииУкраины данные двигатели производит только агрегатный завод (на рапсовоммасле), а на мировом рынке есть предприятия, производящие также водородныедвигатели и т.д. конечно, на данном этапе экологически чистые виды двигателейявляются довольно дорогими, но в будущем нашему предприятию необходимопересмотреть ассортимент и вводить больше таких чистых двигателей, так как, попрогнозам экспертов, они будут вытеснять старые модели с рынка уже через 15-20лет.
Теперь займемся анализомфакторов опосредованного влияния:
Экономические факторы. Ихвлияние выражалось особенно ярко в начале 90-х гг. XXв. тогда в стране имела место гиперинфляция, неопределенность в налоговойполитике государства, соответственно, была на низком уровне платежеспособностьпредприятий и прочих потенциальных заказчиков на внутреннем рынке, а на внешнийрынок предприятие еще не выходило по «советской привычке».
Политические факторы. Такжеоказывают влияние на деятельность предприятия, так как данное предприятиенаходится в 100% собственности государства и его пока не коснулась проводимаяполитика разгосударствления и приватизации. При этом очень сильныйгосударственный контроль, особенно в средине 90-х гг., когда головноепредприятие выполняло Пакистанский контракт.
Технологические факторы. Наданном предприятии его влияние особенно заметно в связи с тем, что практическивсе оборудование морально и физически устарело. При этом, технологии и уровенькачества продукции на довольно высоком по мировым меркам уровне.
Демографические факторы. Этифакторы практически не оказывают влияние на данное предприятие, так каккачество рабочей силы остается всегда на относительно высоком уровне. Идетпостепенный процесс омоложения кадров с привлечением специалистов и рабочих,проходивших обучение по специальности уже в независимой Украине. Числопотенциальных потребителей так же не зависит от этих факторов в связи соспецификой продукции.
Географические факторы. Ониблаговолят предприятию, так как оно расположено относительно не далеко отисточников сырья, от производителей продукции, которую закупает предприятие (ввиде оборудования, материалов и полуфабрикатов и т.д.), отнаучно-исследовательских и конструкторских организаций. Правда, не оченьхорошая экология, но это — «болезнь» всего восточного регионаУкраины.
Социальные факторы. Имеютнаименьшее влияние на предприятие среди всех факторов непрямого влияния. Этосвязано с тем, что продукция предприятия не социального характера, а носитспецифический технический характер и заказчиками выступают не конкретныеличности, а предприятия или государство (хотя потребителями могут быть иконкретные физические лица).
Экологические факторы. Онисвязаны, в первую очередь, с дефицитом некоторых источников сырья и спостоянным подорожанием энергоносителей, а также с загрязнением окружающейсреды отходами.
Мы видим, что влияние факторовкак внешней, так и внутренней среды очень сказывается на деятельности нашегопредприятия.
Описание растительности натерритории предприятия и вокруг него
Возле завода насажены деревья нарасстоянии 8-мь метров между собой,
Здесь встречаются деревья клён,тополя. Возле главного входа посажено несколько елок.
Выводы:
Возле данного предприятия«Харьковский агрегатный завод имени Малышева» определёно что:
-Завод размещается поблизи жилыхдомов
-Рядом построен супермаркет
-Расположено предприятие«Харьковоблэнерго»
-Прилегающие улицы: Морозова,плехановская, нехаенка.
Поскольку экологическая ситуацияпрактически всех регионов требует немедленной организации контроля за выбросамизагрязняющих веществ и улучшением состояния атмосферы, одной из первых задачотрасли является инвентаризация источников выбросов действующих отопительныхкоммунальных котельных с целью осуществления контроля за последующейразработкой для них проектов ПДВ (ВСВ) и поэтапного внедрения предусмотренных вних охранных мероприятий.
2. Изучение технологийпроизводства на выбранных подразделениях предприятия и описание загрязняющихвеществ появляющихся в результате этих технологий
Государственное предприятие ГП«Завод имени В.А. Малышева» – один из старейших машиностроительныхзаводов СНГ, Украины, Харькова. Завод насчитывает 110 летнюю историю, являетсяодним из крупнейших предприятий Украины. Выдающимся достижением коллективазавода было создание в 1940г. среднего танка Т-34 с дизельным двигателем В-2,признанного лучшим танком Второй мировой войны. В СССР Т-34 выпускался до 1947года. На службе в Советской армии эти машины оставались вплоть до начала 1970-хгодов. Всего же Т-34 всех модификаций за все годы его производства быловыпущено около 70 000 штук, что дает историкам полное право назвать Т-34 самыммассовым танком за всю историю танкостроения. В послевоенный период на заводевпервые в СССР было освоено серийное производство магистральных тепловозов идизелей к ним. Создание в 1951г. тепловоза ТЭ-3 положило начало переводажелезнодорожного транспорта страны на тепловозную тягу.
В 50-70-е годы были изготовленыпервые отечественные антарктические тягачи-снегоходы «Харьковчанка»,организовано серийное производство танков нового поколения Т-64, тяжелыхартиллерийских тягачей, тепловозных, судовых и стационарных дизель-генераторов.
Высокие прогрессивныетехнико-экономические показатели продукции завода обеспечивались современнымтворческим сотрудничеством конструкторов, технологов, производственников наоснове научного подхода. Завод – один из основоположников отечественнойзаводской науки, всегда был известен собственными высококлассными специалистами– учеными. Благодаря совместной работе с Конструкторским бюро по машиностроениюим. А.А. Морозова, Конструкторским бюро по двигателестроению ГП «Заводимени В.А. Малышева» с 30-х годов прошлого столетия и до настоящего временибыл и остается законодателем новых идей в танкостроении. Вся история, начинаяот танка Т-34, признанного лучшим танком второй мировой войны, этапного танкапослевоенного периода Т-64 до современных боевых машин Т-80УД,«Оплот» – это история смелых технических решений и передовых идей. Набазе конструкторских разработок в 80-е – 90-е годы создан целый ряд изделийспецтехники, а также продукция народнохозяйственного назначения.
ГП «Завод имени В.А. Малышева»имеет собственную мощную конструкторскую базу, а также тесно сотрудничает ссамостоятельными государственными опытно-конструкторскими предприятиями,созданными на базе заводских структур. Их разработки осваиваются затемпроизводствами завода. Применение новых технологий и современного оборудования,сочетание использования лицензий и собственных оригинальных разработокобеспечивает соответствие уровня продукции как мировым масштабам, так ипожеланиям конкретных заказчиков.
В настоящий момент ГП«Завод имени В.А. Малышева» выпускает следующие виды продукции:
Тяжелая бронетехника:
— основной боевой танк«Оплот»;
— БРЕМ-84 (бронированнаяремонтно-эвакуационная машина);
— модернизация танков Т-64 довида «Булат» (по защите, огневой мощи, подвижности);
Легкая бронетехника:
— бронетранспортеры БТР-3,БТР-4;
— многоцелевое защищенноетранспортное средство БТР «Дозор-Б»;
— модернизация легкойбронетехники (БТР-60/70, БМП-2 по огневой мощи, подвижности);
— боевые модули для легкойбронетехники, (БАУ-23, «Гром», «Парус»).
Дизельные двигатели серии ТД длятяжелой и легкой бронетехники.
Это двухтактные многотопливныедизели с высоким наддувом, жидкостным охлаждением, непосредственным впрыскомтоплива, противоположно движущимися поршнями, горизонтальным расположениемцилиндров, в 3,5 и 6 цилиндровом исполнении. Отличительными особенности данныхдвигателей являются малые размеры при высокой габаритной мощности. Многолетняявойсковая эксплуатация указанных дизелей в составе танков подтверждает ихвысокую надежность и долговечность (особенно при работе с высокой температуройокружающего воздуха более 55 0С.) Двигатели серии 5ТД и 6ТД предназначены дляприменения в тяжелой бронетехники обеспечивают мощность от 700 до 1400 л.с. Ониустанавливаются в танках Т-80УД, ОПЛОТ, модернизированных Т-72 и Т-55.
Для модернизации легкойбронетехники и применения в машинах нового поколения разработан мощностной ряддвигателей серии 3ТД, обеспечивающий мощность от 280 до 600 л.с.
Они используются как в новыхразработках – БТР-4, так и для модернизации техники, выпущенной в бывшем СССР исостоящем на вооружении многих стран – БТР-50 (аналог ТОПАЗ), БМП-1, БМП-2.
Тепловозные дизеля.
Взамен выработавших свой ресурсдизелей 10Д100 на тепловозах ТЭ10, ГП «Завод имени В.А. Малышева»предлагает усовершенствованный дизель-генератор 10Д100М1Б, позволяющийувеличить межремонтные пробеги тепловозов в 1,75 раза, ресурс до капитальногоремонта – в 1,25 раза, снизить среднеэксплуатационный расход топлива на 5%.
Для ремонтов штатных дизелей10Д100 и Д50 завод производит запасные части в широком ассортименте.
В настоящее время нашепредприятие разработало, освоило и выпускает унифицированный мощностной ряддизелей Д80.
В основу разработки заложено:
-внедрение достижений поразвитию двигателестроения;
-повышение надежности имоторесурса;
-улучшение среднеэксплуатационногорасхода топлива и масла;
-улучшение экологическихпоказателей.
Для нужд железнодорожноготранспорта выпускаются:
-4Д80Б (для модернизациитепловозов ЧМЭ3) — мощностью 1350 л.с.;
-10Д80А мощностью 800 л.с длянового тепловоза ТЭМ103.
Для промышленного транспортаразработан двигатель 11Д80Б (ТГМ4) мощностью 750 л.с.
Одним из важнейших иприоритетных направлений деятельности завода является развитие производстванефтегазового оборудования.
Среди них – использующийпринципиально новую технологию комплекс машин для ремонта трубопроводов безподъема трубы, в составе:
-МПРГ-1М – машины послойнойразработки грунта;
-МВТ-1М — машины для вскрытиятрубопроводов;
-МПР-1М – машины подкапывающейроторной;
-МП – машины подбивочной.
Комплекс предназначен дляскоростного выполнения земляных работ при капитальном ремонте газо- инефтепроводов, а также для выполнения ремонтно-восстановительных работ послеаварий на трубопроводном транспорте. Использование комплекса машин позволяетвыполнять ремонтные работы без подъема трубы из грунтового ложа, исключитьосадку трубопровода после ремонта относительно линии исходного залегания. Темпвыполнения работ при ремонте трубопроводов — до 100 пог.м/ч. Благодаряавтоматизации процесса ремонта трубопровода, существенному улучшению качествавыполнения работ комплекс окупается в течение 1 года.
Также завод выпускает запчастидля бурового оборудования в ассортименте (клиньевой захват, буровые ключи(гидравлический, пневматический, механический), валы карданные, запчасти для буровыхнасосов и лебедок и др.);
Данные комплексы успешноприменяется как на горнодобывающих предприятиях Украины и стран СНГ, так и напредприятиях дальнего зарубежья. Комплексы БШК-2ДМ поставлялись в Китай, Чехию.
Когенерационные установки(электростанции), разработанные ГП «Завод имени В.А. Малышева» набазе газового двигателя 11ГД100М агрегатной мощностью 1700 кВт (электрическаямощность – 1000 кВт, тепловая мощность – 700 кВт), используют газообразноетопливо (природный газ, биогаз, попутный газ, шахтный газ). Данныеэлектростанции способных вырабатывать кроме электроэнергии тепловую энергию ввиде пара и (или) горячей воды, холод, производить углекислый газ, что ещебольше повышает рентабельность их эксплуатации. Их рационально и эффективноиспользовать для нужд энергоснабжения инфраструктуры промышленных икоммунальных предприятий, отопления и освещения поселков газовиков.
Предприятие располагает мощныммногопрофильным заготовительным производством. Оно представлено следующимиосновными направлениями:
-Литейное производство:чугунное, стальное. цветное
-Кузнечнопрессовое производство.
-Механическое производство:радиаторы, трубопроводы, штуцера, пружины, валы, втулки, оси, шестерни, болты,гайки, резинотехнические изделия, инструмент.
Принципы технологии
На вход технологии поступаютпластины, называемыми подложками. Состав материала подложек, кристаллическаяструктура (вплоть до межатомных расстояний в подложках для современныхпроцессоров) и кристаллографическая ориентация строго контролируются. В ходетехнологического процесса в приповерхностном слое полупроводникового материала,являющегося подложкой или нанесённого на подложку, создают области с различнымтипом или величиной проводимости, определяемой в конечном счёте различнойконцентрацией донорных и акцепторных примесей, а также материалом слоя. Поверхслоя полупроводникового материала, с использованием в нужных местах прослоекдиэлектрического материала, наносятся слои проводящего материала, образующегоконтактные площадки и необходимые соединения между областями. Области и слоипроводника, полупроводника и диэлектрика в совокупности образуют структуруполупроводникового прибора или интегральной микросхемы.
Особенность планарной технологиисостоит в том, чтобы после завершения каждой технологической операциивосстанавливается плоская (планарная) форма поверхности пластины, что позволяетсоздавать достаточно сложную структуру, используя конечный набортехнологических операций.
Планарная технологияобеспечивает возможность одновременного изготовления в едином технологическомпроцессе огромного числа дискретных полупроводниковых приборов или интегральныхмикросхем на одной подложке, что позволяет существенно снизить их стоимость.Также в случае изготовления на одной пластине идентичных приборов параметрывсех приборов оказываются близкими. Ограничителем является только площадьподложки, поэтому диаметр подложек по мере развития технологий производстваподложек стремятся увеличивать.
Для контроля качества выполненияпромежуточных операций на подложке, как правило, выделяют несколько малыхобластей (обычно в центре и на периферии), на которых в ходе штатноготехнологического процесса формируются тестовые проводящие дорожки иэлементарные приборы (конденсаторы, диоды, транзисторы и т.п.). В этих жеобластях формируют контактные площадки относительно большой площади длятестирования годности пластин перед скрабированием (разделением на отдельныеприборы). Для совмещения изображений при фотолитографии также в специальновыделенной области формируются знаки совмещения, подобные тем, какие можновстретить на многоцветной печатной продукции.
Основные технологическиеоперации (литография)
Основные технологическиеоперации, используемые в планарной технологии, основаны на процессе литографии:используются электронная литография, ионная литография, могущие бытьсканирующми и проекционными; фотолитографии могущая быть оптической (стандартнаяλ=310-450нм или в глубоком ультрафиолете λ=200-300нм) ирентгеновской(λ=0,1-10нм), которые, в свою очередь, могут быть контактными,бесконтактными, на микрозазоре и проекционными. Также может быть ограниченноприменён метод радиационно-стимулированной диффузии.
Технологическая цепочка состоитиз серии циклов (до нескольких десятков), включающих в себя следующие основныеоперации (в порядке следования):
подготовка подложки: применяетсямеханическая и химическая полировка для получения плоской поверхности безмеханических дефектов (выполняется 1 раз, при поступлении подложки втехпроцесс);
формирование на поверхностиподложки слоя необходимого материала с заданной структурой: эпитаксиальноенаращивание, осаждение диэлектрических или металлических плёнок (операциявыполняется не в каждом цикле)(этому процессу может предшествоватьоксидирование, фотолитография и диффузия под захоронёный n+ слой, являющийсянеобходимым элементом при создании схемы на биполярных транзисторах сколлекторной изоляцией, с комбинированной изоляцией(изопланар-1,2; полипланар)и не необходимым, но желательным в других структурах биполярных транзисторов (дляснижения сопротивления коллектора и повышения быстродействия);
создание на поверхности подложкизащитного слоя: в случае кремниевых подложек для этого используется окислениеповерхности, в случае других подложек может использовать эпитаксиальноенаращивание слоя диоксида или нитрида кремния либо другого материала с низкимкоэффициентом диффузии легирующих примесей Толщина слоя подбирается так, чтобыза время, необходимое для создания легированной области необходимойконфигурации в подложке, легирующий элемент не достиг подложки сквозь защитныйслой;
нанесение слоя фоторезиста,обладающего устойчивостью к используемым травителям;
совмещение изображений по знакамсовмещения и экспонирование рисунка окон на слой фоторезиста;
стравливание исключительнозасвеченных (либо незасвеченных — зависит от фоторезиста) участков слояфоторезиста;
стравливание защитного слоя сподложки на участках, не закрытых фоторезистом;
удаление остатков слояфоторезиста;
возможная операция: внедрениелегирующих примесей нередко проводят в двухстадийном процессе, разделяя фазызагонки примеси в приповерхностную область и разгонки загнанной примеси потребуемому объёму; загонка производится путём локальной (с поверхности или изгазовой фазы) диффузии или ионной имплантации легирующих примесей через окна взащитном слое в поверхность подложки; режимы диффузии (имплантации) подбираютсятак, чтобы чтобы за время этой и всех последующих технологических операцийразмер легированной области достиг требуемых размеров по площади и глубине, анарушенная радиацией при ионном легировании кристаллическая решёткавосстановилась;
возможная операция: плазменноеили химическое травление поверхности подложки для удаления излишков слоя ранееосаждённого материала.
плазменное или химическоетравление поверхности подложки для удаления защитного слоя (выполняется не вкаждом цикле).
Основные циклы, выполняемые присоздании полупроводниковых приборов, следующие:
формирование областей р-типа(локальное внедрение примесей)
формирование областей n-типа(локальное внедрение примесей)
формирование проводящих дорожеки контактных площадок (удаление излишков слоя металла)
Порядок циклов определяетсязависимостями коэффициентов диффузии примесей от температуры. Стараются сначалапроизводить загонку и разгонку примесей менее подвижных, и для сокращениявремени процесса использовать более высокие температуры. Затем при меньшихтемпературах загоняют и разгоняют более подвижные примеси. Это связано сбыстрым (экспоненциальным) падением коэффициента диффузии при понижении температуры.К примеру, в кремнии сначала при температуре до ~950С создают области р-типалегированные бором и только потом при температуре менее ~750С создают областиn-типа, легированные фосфором. В случае других легирующих элементов и/илидругих матриц номиналы температур и порядок создания легированных областейможет быть разным, но всегда при этом придерживаются правила «пониженияградуса». Создание дорожек всегда выполняется в завершающих циклах.
Помимо дифузионного легированияи разгонки могут применяться методы радиационной трансмутации кремния валюминий и фосфор. При этом проникающая радиация помимо запуска реакцийтрансмутаций заметно повреждает кристаллическую решётку подложки. Легированиепластины идёт по всей площади и по всему объёму материала. Для легированияиспользовали слитки кремния не разрезанные на пластины.Профиль примеси подиаметру пластины описывается транспозицией экспонент с максимумом на перифериипластины и минимумов в центре пластины. Этот метод имеет ограниченноеприменение для изготовления специальных приборов из высокоомного кремния.

Завершающие операции припроизводстве микросхем
Скрабирование
По завершении операций поформированию приборов на пластине производится разделение пластины на малыекристаллы, содержащие единственный готовый прибор.
Изначально разделение пластинына отдельные кристаллы велось путём процарапывания её на глубину 2/3 от толщиныпластины алмазным резцом с последующим раскалыванием по процарапанной линии.Этот принцип разделения дал название всей операции разделения пластин накристаллы: «скрабирование» (или скрайбирование от англ. scribe — царапать).
В настоящее время скрабированиеможет выполняться как с прорезанием на полную толщину пластины с образованиемотдельных кристалов, так и на часть толщины пластины с последующимраскалыванием на кристаллы. Скрабирование с некоторой натяжкой можно отнести кзавершающим этапам планарной технологии.
Прорезание может выполнятьсяразличными путями:
Скрабирование алмазным резцом — процарапывание пластины вдоль одной из кристаллографических осей дляпоследующего разламывания по рискам подобно тому, как действуют при резкестекла. Так на кремниевых подложках разломы лучше всего получаются поплоскостям спайности. В настоящее время метод является устаревшим и практическине используется;
Раскалывание локальнымтермоударом (применяется мало);
Резка кольцевой пилой с внешнейрежущей кромкой: установка похожа на установку для резки слитка на пластины, нодиаметр диска значительно меньше и режущая кромка выступает за зажимы не болеечем на полторы глубины риски. Это сводит к минимуму биения и позволяетувеличить частоту вращения до 20-50тыс. оборотов в минуту. Иногда на осьнадевают несколько дисков для одновременного создания нескольких рисок. Способпозволяет прорезать пластину всю толщину, но обычно используется дляпроцарапывания с последующим раскалыванием.
Химическое скрабирование — этоскрабирование путём сквозного химического травления. Для проведения операциипредварительно делается фотолитография с формированием окон на разделительныхучастках с обеих сторон пластины и вытравливаются разделительные области.Разновидностью данного метода является сквозное анизотропное травление, гдеиспользуется разница в скорости травления в различных направленияхкристаллографических осей. Основные недостатки ограничивающие применение метода- сложность совмещения рисунка окон для травления обеих сторон пластины ибоковое вытравливание кристаллов. Способ позволяет как протравить пластину начасть толщины, так и на всю толщину.
Резка стальными полотнами илипроволоками — полотна или проволока трутся о пластины, на место соприкосновенияподается абразивная суспензия. Существует риск порчи готовых структур лопнувшимполотном или проволокой. Колебания состава суспензии, механические перекосы в оборудованиитакже могут приводить к появлению брака. Метод использовался в мелкосерийныхпроизводствах и лабораториях. Способ позволяет прорезать пластину всю толщину,но обычно используется для процарапывания с последующим раскалыванием.
резка лазерным лучом:образование рисок происходит в результате испарения материала подложкисфокусированным лазерным лучом. Основной проблемой при использовании этогометода является защита готовых структур от капель расплавленного и конденсациина них испарённого материала подложки. Применение метода ограничиваетсятолщиной пластин, а так как больший диаметр пластин требует большей толщины длясохранения требуемой жёсткости не всегда используется сквозное разделение(менее 100мкм — возможно резание, от 100 до 450мкм только скрабирование).При сквозном разделении не требуется последующая ломка пластины на кристаллы.Не рекомендуется использовать данный метод для резки пластин, содержащихарсенид галлия из-за выделения высокотоксичных соединений. В СССР для этогометода в основном использовались лазеры из алюмоиттриевого граната и рубина.Наиболее перспективная (на 2006г.) технология лазерной резки предусматривалаиспользование при лазерной резке в качестве фокусирующего световода иодновременно хладагента тонкого шнура воды подаваемой под высоким давлением. После прорезания рисок пластины разделяют на кристаллы.
Существует три основных метода:
Метод подпружиненного ролика:пластину укладывают в полиэтиленовый пакет и размещают на толстом упругомрезиновом основании рисками вниз и оператор прокатывает вдоль рисокподпружиненным роликом. Качество разламывания зависит от того на скольконаправление движения ролика параллельно рискам, при отклонении возможнораскалывание не по рискам и порча кристаллов.
Разламывание на полусфере:пластины обжимаются эластичной мембраной по сферической поверхности. Намембрану давят либо гидравлическим способом, либо сжатым воздухом. Приразделении этим способом пластин диаметром более 76мм резко увеличиваетсяпроцент брака. Прокатка между двумя цилиндрическими валиками. Пластина налипкой ленте-носителе сжимают стальным и резиновым валиком, которые вращаются,в результате деформации упругого резинового валика к пластине прикладываетсяизгибающее усилие.
Крепление кристаллов к корпусу
После скрабирования кристаллыприсоединяют к основанию корпуса:
методом приклеивания — используются клеи на основе эпоксидной смолы, со временемдеградирует: хуже проводит тепло, становится хрупкой, соединение становитсянепрочным. Данный метод в настоящее время не используется.
метод эвтектического сплавления:на керамическое основание корпуса и на обратную сторону пластины передразделением на кристаллы наносится тонкий слой золота. В месте креплениякристалла помещается золотая фольга, кристалл кладут на основание корпуса,подогревают до 380° (температура эвтектики системы кремний-золото 385°) иприкладывают вертикальное усилие. Высокая стоимость позволяет использоватьметод только для схем спецназначения.
при герметизации пластмассойкристаллы с приваренной арматурой размещают на ленте-носителе.
соединение стёклами — ввидусложности подбора стекла с низкой температурой размягчения и температурнымкоэффициентом линейного расширения, соответствующим используемым материаламданный метод для тонкоплёночной технологии малопригоден (годится для гибридныxи толстоплёночных интегральных схем)
метод «перевёрнутогокристалла» — при использовании объёмных выводов одновременноподсоединяются и кристалл и все выводы.
Присоединение выводов ккристаллу
методы присоединения выводов:
термокомпрессионная сварка
ультразвуковая сварка
косвенного импульсного нагрева
сварка сдвоенным электродом
лазерная точечная сварка
электронно-лучевая сварка
беспроволочный монтаж элементовс объёмными выводами

Герметизация кристалла
методы герметизации — выборметода зависит от материала и формы корпуса. Корпуса бывают герметичные (металлостеклянные,металлокерамические, керамические, стеклянные) и негерметичные (пластмассовые,керамические), сварка: холодная сварка; электроконтактнаясварка: контурная, роликовая, микроплазменная, аргонно-дуговая, лазерная,электроннолучевая; пайка: конвективная в печах, струёй горячего газа;склеивание; герметизация пластмассой.
Тестирование
При тестировании контролируетсякачество крепления выводов, а также устойчивость приборов(кроме негерметичных)к экстремальным климатическим условиям на стенде тепла и влаги и механическимвоздействиям на ударном и вибростенде, а так же их электрические свойства.После тестирования приборы окрашивают и маркируют.Загрязняющее вещество Удельный выброс нефти, кг/т
  Остаточной Перегонной Аэрозоли По сорту нефти и содержанию серы 0,1 — 0,125 SO2 15.7S 14.2S SO3 0.2S 0.2S CO 0.5 0.5 Углеводороды 0.1 0.1 Оксиды азота 6 1,8-2,2
Выводы: Завод имени Малышеваодин из крупнейших машиностроительных предприятий, выпускает разные видыбронетанковых машин, моторов.
Ныне завод имени В.А. Малышева,кроме танков, выпускает бульдозеры, вездеходы, прицепы, оборудование дляпищевой промышленности. Завод также производит оборудование для угледобывающейи нефтегазовой промышленности, и другую машиностроительную продукцию.
В составе завода также созданы иработают собственные КБ, центральная заводская лаборатория. Непосредственноосновное производство предприятия делится на 3 подразделения: завод попроизводству бронетехники и добывающего оборудования, завод по производствудизельных двигателей для тепловозов, завод по производству дизелей длябронетехники. Заготовительное производство обеспечивает основное литьем,поковками, штамповками. Инструментальное производство обеспечивает основныецеха инструментов различного уровня сложности.
3.Изучение на местностиприлегающих территорий, предприятий
На местности напротивпредприятия завода им. Малышева, построен супермаркет«Рост». Который находится через дорогу возле супермаркета нет деревьев, азначит нет и шумового экрана. Самое близкое жилое здание посажено три дерева:тополя, и два клёна. Справа от супермаркета расположено «Акционерноепредпринимательство ХарьковОблЭнерго».
Возле него посажены две берёзы.Также посажены молодые деревья «каштаны». Есть полисадник с цветами переддорогой. Перед заводом посажены деревья, расстояние между ними составляет около800см,
Расстояния между заводом ипосажеными деревьями 720см,  расстояние между жилым домоми деревьями составило около 960см, расстояние между жилым домом и заводом около8500см. Сзади завода стандарт посадки деревьев непридерживались, приблизительно от 600см до 1000см. Расстояние между источником выбросов и жилым домом 28000см
Состояние биоты
На деревьях появляется мох,почек на деревьях мало, есть больные деревья, также угнетённые кустарники возлезавода
/>
Рис.1 Дерево возле заводаим.Малышева
/>
Рис.2 Кустарник возле входа взавод

/>
Рис.3 Главный вход в завод им.Малышева
/>
Рис.4 Супермаркет рост

/>
Рис.5 Растительность возлепредприятия «Харьковоблэнерго»
/>
Рис.6 Самое близкое жилое здание
/>
Рис.7 Источник выбросов назаводе им. Малышева
Вывод: Необходимо сделать вокругисточника защитную зону, насаждение кустарников, деревьев. Также нужно поднятьвыше трубы до 150метров чтобы загрязняющие вещества не опадали около трубы илипоблизости. Посмотрев на деревья, биоту определить насколько сильно влияниевыбросов, можно ли вообще находится возле источника.