Лекция 2
Полупроводники.Диоды, биполярные и униполярные (МОП) транзисторы. Свет. Светочувствительные исветоизлучающие устройства. Оптопары
План:
1. Электропроводимостьполупроводников. Образование электронно-дырочной проводимости и ее свойства.
2. Полупроводниковыедиоды, условное обозначение, классификация и основные параметры.
3. Биполярные и МОПтранзисторы.
4. Светоизлучающиеприборы и оптопары.
Ключевые слова:
Электропроводимость, диэлектрик, полупроводник, проводник,электронно-дырочная проводимость, диод, биполярный транзистор, полевойтранзистор, МОП-транзистор, фотоэлемент, фотодиод, светоизлучающий диод,оптопара.
1.Электропровидимость полупроводников. Образование электронно-дырочнойпроводимости и ее свойства
Какизвестно, на свете существует два вида веществ — проводники и изоляторы. Сопротивлениепроводников близко к нулю, а изоляторов — к бесконечности. Но резкой гранимежду этими двумя видами веществ нет, поэтому существуют также вещества,которые уже не проводники, но еще и не изоляторы (или наоборот), и ихсопротивление находится где-то посередине между сопротивлениями проводников иизоляторов.
Это«полупроводниковое» состояние вещества крайне неустойчиво, и подвоздействием внешних факторов (ничтожные концентрации примесей — один атомпримеси на миллиард атомов полупроводника; приложенное к полупроводникуэлектрическое напряжение; воздействие света, температуры) полупроводник легкопереходит в проводник, в изолятор и обратно в полупроводник. Благодаря тому,что на сопротивление полупроводника оказывает влияние, в том числе иэлектрическое напряжение, стало возможным усиливать и преобразовыватьэлектрические сигналы.
Полупроводниковыйматериал после получения должен быть модифицирован, чтобы он приобрел качества,необходимые для полупроводниковых устройств.
На рис.2.1 показана упрощенная схема атома кремния, на которой изображено толькочетыре электрона на валентной оболочке.
Валентность — это показатель способности атома присоединять илиотдавать электроны, она определяет электрические и химические свойства атома.
Материалы,которым необходимы электроны для заполнения их валентной оболочки, являютсянестабильными и относятся к активным материалам. Для приобретения стабильности,активные материалы должны добавить электроны в свои валентные оболочки. Атомыкремния способны объединить свои валентные электроны с другими атомами кремнияс помощью процесса, который называется ковалентной связью (рис. 2.2). Ковалентнаясвязь — это процесс совместного использования валентных электронов различнымиатомами, приводящий к образованию кристалла. Каждый атом в такойкристаллической структуре имеет четыре своих собственных электрона и четыресовместно используемых электрона от четырех других атомов, а всего — восемьвалентных электронов. Ковалентная связь ввиду своей стабильности не можетподдерживать электрическую активность.
/>
Рис. 2.1. Упрощенная схема атома кремния, накоторой показаны
тольковалентные электроны
полупроводникэлектропроводимость оптопара светоизлучающий
/>
Рис. 2.2. Кристаллическаяструктура кремния с ковалентными связями
Прикомнатной температуре кристаллы чистого кремния являются плохими проводниками.Они ведут себя, как изоляторы. Однако если кристаллу сообщить тепловую энергию,то некоторые электроны получат эту энергию и переместятся на более высокуюорбиту, нарушая ковалентную связь. Это позволяет кристаллу проводить ток.
· диапазон энергий, в котором лежитэнергия электрона, удерживаемого ковалентной связью, называется зонойвалентности, или валентной зоной.
· диапазонэнергий, в котором лежит энергия электрона, разорвавшего ковалентную связь и ставшего свободным,называется зоной проводимости.
· графическое изображение этихэнергетических зон называется зонной энергетической диаграммой.
/>/>/>
Рис. 2.3.
Для того,чтобы электрон смог разорвать ковалентную связь и стать свободным, он долженполучить энергию, большую ширины запрещённой зоны.
В природечетерехвалентными полупроводниками являются углерод, германий и кремний.
Ge — германий
Si — кремний />
Примесная проводимостьпроводников
Чистыеполупроводники (кремний, германий) в электронике используются оченьредко. В большинстве приборов используются примесные полупроводники, т.е. в которые добавлено небольшое и очень точно рассчитанное количествоопределенной примеси. Сам процесс добавления примеси называется легирование,а примесные полупроводники — легированными. В зависимости от рода примесиполучаются полупроводники с противоположными свойствами; их еще называютполупроводниками n-типа и р-типа.
Если вполупроводник ввести пятивалентную примесь, то 4 валентных электронавосстанавливают ковалентные связи с атомами полупроводника, а пятый электроностаётся свободным. За счёт этого концентрация свободных электронов будетпревышать концентрацию дырок.
/>
Рис. 2.4.
· примесь, за счёт которой ni>pi,называется донорной примесью.
· полупроводник, у которого ni>pi, называется полупроводником с электронным типом проводимости, или полупроводником n-типа.
· вполупроводнике n-типа электроны называютсяосновными носителями заряда, а дырки — неосновными носителями заряда.
Привведении трёхвалентной примеси три её валентных электрона восстанавливаютковалентную связь с атомами полупроводника, а четвёртая ковалентная связьоказывается не восстановленной, т. е. имеет место дырка. В результате этогоконцентрация дырок будет больше концентрации электронов.
/>
Рис. 2.5.
· примесь, при которой pi>ni, называется акцепторной примесью.
· полупроводник,у которого pi>ni, называется полупроводником сдырочным типом проводимости,или полупроводником р-типа.
· в полупроводнике р-типадырки называются основными носителями заряда, а электроны — неосновныминосителями заряда.
В качестве наглядного примера этих процессов можно избратьочередь в кассу. После того как стоящий самым первым человек (электрон)расплачивается, он отходит и к кассе устремляется второй человек Сразу за нимобразуется пустое место (дырка), в которую устремляется третий человек, и т. д.Таким образом, люди (электроны) движутся вперед, а пустые места (дырки)движутся назад. Единственное несовершенство очереди как наглядного примера — вней дырки, дойдя до последнего человека, исчезают за его спиной, В полупроводникеничто никуда не исчезает.
Если висходный полупроводник добавить элемент 5-й группы, то в нем появится избытокэлектронов, которым «некуда деваться». Такой полупроводник относитсяк п-типу.
2. Диодыи диодные схемы. Устройство, классификация и основные параметрыполупроводниковых диодов
Давайтетеперь попытаемся соединить эти два полупроводника. Так как уодного изних недостаток электронов, а удругого — избыток, то электроны и дыркиустремляются к границе между этими двумя полупроводниками (рис. 2.6).Встретившиеся электрон и дырка рекомбинируют, т. е, соединяются друг с другом.Процесс рекомбинации продолжается до тех пор, пока не наступитдинамическое равновесие, т. е. пока соотношение «количествоэлектронов/количество дырок» не выровняется. В результате у p-n-переходаобразуется обедненный свободными носителями двойной слой пространственногозаряда. В р-области этот слой создается оставшимися после рекомбинациисвободных носителей, связанными с кристаллической решеткой отрицательнымиионами акцепторной примеси (т. е. элемента 3-й группы), а в п-области — положительными ионами донорной (в переводе – «дающей», элементы 5-йгруппы), и образующееся в результате рекомбинации электрическое поле (р-областьзаряжена отрицательно, п-область — положительно) противодействуетдальнейшему перемещению электронов и дырок (р-область заряжаетсяотрицательно, электрон — тоже имеет отрицательный заряд; одноименные зарядыотталкиваются), т. е. наступает динамическое равновесие. Слой изрекомбинировавших электронов с дырками между двумя полупроводниками называется”p-n-переход”, а разность потенциалов на р-п-переходе- потенциальным барьером. Для кремния он равен примерно 0,6 В, для германияменьше.
/>/>/>
Рис. 2.6. р-п-переход
Вовсех полупроводниках постоянно образуются и снова рекомбинируют тепловыеэлектронно-дырочные пары, создавая некоторое количество не основныхносителей тока (для р-области — электронов, для п-области — дырок). Находящиесявблизи p-n-перехода не основныеносители, прежде чем успеют рекомбинировать с основными для того типаполупроводника, в котором они «родились», могут попасть вэлектрическое поле потенциального барьера, «перескочить» наполупроводник противоположной проводимости (для него они будут«основными») и послужить тем самым причиной возникновения дрейфовоготока (обратный ток). Так как «перескочивший» не основнойноситель уменьшает потенциальный барьер, то для «компенсации» сразуже за ним основной носитель «идет с повинной» к p-n-переходу, где и рекомбинирует.
Полупроводниковыйприбор с одним р-п-переходом и называется диодом. Отличительнаяособенность диода (благодаря наличию р-п-перехода) — он пропускает токтолько в одном направлении — от n-области к р-области. Благодаря этому диодынашли широкое применение в выпрямителях переменного напряжения.
/>
Рис. 2.7
Классификациядиодов производится по следующим признакам:
1. По конструкции: плоскостные диоды, точечные диоды, микросплавныедиоды.
2. По мощности: маломощные, средней мощности, мощные.
3. По частоте: низкочастотные, высокочастотные, СВЧ.
4. По функциональному назначению: выпрямительные диоды, импульсные диоды, стабилитроны,варикапы, светодиоды, тоннельные диоды и так далее.
Условноеобозначение диодов подразделяется на два вида:
маркировкадиодов;
условноеграфическое обозначение (УГО) — обозначение на принципиальных электрических схемах.
НовыйГОСТ на маркировку диодов состоит из 4 обозначений:К С 156 А Г Д 507 Б I II III IV I — показывает материал полупроводника: Г (1) — германий; К (2) — кремний; А (3) — арсенид галлия. II – тип полупроводникового диода
Д — выпрямительные, ВЧ и импульсные диоды;
А — диоды СВЧ; С — стабилитроны; В — варикапы; И — туннельные диоды; Ф — фотодиоды;
Л — светодиоды; Ц — выпрямительные столбы и блоки. III — цифры, показывающие разделение диодов по своим электрическим параметрам
101…399 – выпрямительные
401…499 – ВЧ-диоды
501…599 — импульсные IV — буква показывает модификацию диодов в данной группе /> />
Рис. 2.8. а) Так обозначаютвыпрямительные, высокочастотные, СВЧ,импульсные и диоды Гана; б) стабилитроны; в) варикапы; г) тоннельные диоды; д)диоды Шоттки; е) светодиоды; ж) фотодиоды; з) выпрямительные блоки
3.Биполярные и МОП-транзисторы
Биполярный транзистор
Биполярный транзистор — полупроводниковый прибор, который управляется токоми имеет коэффициент усиления больше единицы. Он имеет два р-п-перехода итри вывода. Эмиттер (Э), база (Б) и коллектор (К). Биполярные транзисторыбывают двух структур- р-n-р и п-р-n.
Длятранзисторов структуры р-n-р справедливо все то, что относится и к структуре п-р-п,отличая только в полярности источника питания. Упрощенная структурная схематранзистора нарисована на рис. 2.9. Вывод базы располагается между эмиттером иколлектором, толщина базы очень мала — десятки микрометров (1000 мкм = 1 мм). Благодаря наличию двух р-n переходов, любой транзистор (биполярный) можнопредставить в виде двух диодов: с большим напряжением пробоя между базой иколлектором и с малым напряжением пробоя между базой и эмиттером. Как видно,коллекторный и эмиттерный р-п переходы по отношению к базенеравнозначны, поэтому «путать» их нельзя.
/>
Рис. 2 9. Структурная иупрощенная схемы строения биполярного транзистора
Существуеттри схемы включения биполярного транзистора, с общей базой (ОБ), общимколлектором (ОК) и общим эмиттером (ОЭ) При включении транзистора по схеме с ОБусиливается только напряжение, с ОК — только ток, а с ОЭ — и напряжение, и ток.Схема с ОБ в цифровой технике практически никогда не используется, поэтомуздесь она рассматриваться не будет.
Привключении транзистора структуры n-p-п на его эмиттер подаютотрицательный потенциал, а на коллектор — положительный. При соединении выводабазы с эмиттером, или если базовый вывод попросту «в обрыве» транзисторзакрыт и через переход коллектор-эмиттер течет ничтожный ток, при соединении сколлектором он открывается и через транзистор течет довольно большой ток.
Рассмотримсхему включения транзистора с общим эмиттером (рис, 2,10). Эмиттерсоединен с общим проводом («минусовой» вывод источника питания), аколлектор через нагрузку (на схеме — через лампочку) соединен с положительнымвыводом источника питания. Будем плавно увеличивать напряжение на базеотносительно эмиттера (общего провода). Потенциальный барьер перехода база-эмиттерпри этом будет понижаться, и его сопротивление уменьшится. Через переход начнеттечь ток эмиттера IЭ обусловленныйинжекцией электронов из эмиттера в базу. Но так как база имеет очень маленькуютолщину, то большинство инжектированных из эмиттера в базу электронов «поинерции» пролетают потенциальный барьер перехода база-коллектор,захватываются его полем и втягиваются в коллектор, откуда они попадают внагрузку, где и рекомбинируют с дырками. Благодаря выделяющейся при этоммощности лампочка начинает светиться. Напряжение на коллекторном выводеотносительно общего провода уменьшается.
/>
Рис. 2.10. Схемавключения биполярного транзистора с общим эмиттером
Так кактранзистор представляет собой монолитный кристалл кремния и толщина его базы нипри каких внешних воздействиях не изменяется, то отношение количестваэлектронов, захваченных коллектором, к количеству электронов, выделившихся вбазе при неизменном напряжении питания, также неизменно. Это отношениеназывается статическим коэффициентом передачи тока (коэффициент усиления) иопределяется по формуле:
/>
Усовременных биполярных транзисторов коэффициент передачи тока h21эбольше 100, т. е. коллекторный ток в 100 раз больше базового.
? При увеличении напряжения питанияувеличивается потенциальный барьер перехода база-коллектор. Поэтому количествоэлектронов, которое может «захватить» коллектор (при неизменном токебазы) уменьшается. Следовательно, будет уменьшаться и коэффициент h21э.
Если идальше увеличивать ток базы, то потенциальный барьер эмиттерного перехода будетуменьшаться до тех пор, пока не исчезнет совсем. Электроны смогутбеспрепятственно переходить из эмиттера в базу и также беспрепятственнозахватываться полем коллектора. Падение напряжения на переходе коллекторэмиттер будет уменьшаться (при увеличении тока базы и неизменном сопротивлениинагрузки и напряжении питания) до тех пор, пока не уменьшится почти до нуля.
Такойрежим работы транзистора, несмотря на то, что он требует повышенного тока управления(так как коэффициент h21э уменьшается), очень широкоиспользуется в цифровой технике.
Полевые транзисторы
Полевыетранзисторы — это полупроводниковые приборы, сопротивление канала которыхизменяется в широких пределах под воздействием приложенного к управляющемувыводу (затвору) напряжения. Таким образом, полевые транзисторы, в отличие отбиполярных, управляются не током, а напряжением. Ток же, текущий черезуправляющий вывод (ток утечки затвора IУТ), крайне мал, и у современных полевых транзисторовего смело можно приравнять к нулю.
Взависимости от строения своих «внутренностей» полевые транзисторыделятся на две группы:
суправляющим p-n-переходом (т. е. изоляция затвора выполнена в виде p-n-перехода);
сизолированным затвором (затвор изолирован диэлектриком). Кроме того,транзисторы с изолированным затвором бывают со встроенным или индуцированным каналом.
Рассмотримпринцип действия полевого транзистора с управляющим р-п-переходом (рис.2.11). Транзистор, изображенный на нем, называется п-канальным, исреди биполярных транзисторов ему соответствует транзистор структуры n-p-п.Вывод эмиттера биполярных транзисторов у полевых называется истоком, база — затвором и коллектор — стоком. На этом сходство этих двух классовполупроводниковых приборов оканчиваются, дальше начинаются одни различия.
/>
Рис. 2.11.Полевой транзистор суправляющим р-п переходом (п-канал): а — строение; б — упрощенная схемастроения; в — вольт-амперная характеристика
Областистока и истока у полевых транзисторов изготавливают из сильно легированныхполупроводников, т. е. из тех, у которых очень большой избыток основныхносителей тока — электронов для n-проводника и дырок — для р-проводника.На рисунке эту самую «сильную легированность» обозначают значком “+”после обозначения типа полупроводника (п+, р+).
Свет
Свет — это электромагнитное излучение, видимое человеческим глазом. Светраспространяется подобно радиоволнам. Как и радиоволны, свет имеет свою длинуволны.
Светраспространяется в вакууме со скоростью 300 000 000 метров в секунду. В различных средах скорость света меньше. Частота световых колебанийлежит в диапазоне от 300 до 300 000 000 гигагерц (1 гигагерц = 1000000000герц). Из этого частотного диапазона только небольшая часть видима человеческимглазом. Видимый диапазон простирается примерно от 400000 до 750000 гигагерц.Частота инфракрасного излучения лежит ниже 400000 гигагерц, а частотаультрафиолетового излучения — выше 750000 гигагерц. Световые волны в верхнейчасти частотного диапазона обладают большей энергией, чем световые волны внижней части диапазона.
Фоторезистор. Внутреннее сопротивление фоторезистора изменяется приизменении интенсивности света. Изменение сопротивления не пропорциональноинтенсивности света. Фотосопротивления изготовляют из светочувствительныхматериалов, таких как сульфид кадмия (CdS) или селенид кадмия (CdSe).
Егосопротивление может изменяться от нескольких сотен мегом до нескольких сотеном. Оно применяется при низких интенсивностях света. Фотосопротивление можетвыдерживать высокие рабочие напряжения 200-300 вольт при малом потреблениимощности — до 300 милливатт.
На рис. 2.12показаны схематические обозначения фотосопротивления. Стрелки показывают, чтоэто — светочувствительное устройство. Иногда для обозначениясветочувствительного устройства используется греческая буква лямбда (/>).
Фотосопротивленияиспользуются для измерения интенсивности света в фотографическом оборудовании,в охранных датчиках, в устройствах автоматического открывания дверей, вразличном тестирующем оборудовании для измерения интенсивности света.
Фотогальваническийэлемент (солнечный элемент) преобразует световую энергию непосредственно вэлектрическую. Батареи солнечных элементов применяются главным образом дляпреобразования солнечной энергии в электрическую энергию.
Солнечныйэлемент — это устройство на основе р-п-пе-рехода, выполненное из полупроводниковыхматериалов.
/>
Рис. 2.12. Схематическиеобозначения фотосопротивления
Солнечныеэлементы дают низкое выходное напряжение 0,45 вольта при токе 50 миллиампер. Ихнеобходимо соединять в последовательно- параллельные цепи для того, чтобыполучить желаемое выходное напряжение и ток.
Схематическиеобозначения солнечных элементов показаны на рис. 2.13. Положительный выводобозначается знаком плюс (+).
Солнечныеэлементы применяются для измерения интенсивности света в.фотографическомоборудовании, для декодирования звуковой дорожки в кинопроекторах и для зарядкибатарей на космических спутниках.
Фотодиодтакже использует p-n-переход и его устройство подобно устройству солнечногоэлемента. Он используется так же, как и фотосопротивление в качестве резистора,сопротивление которого меняется при освещении. Фотодиоды — этополупроводниковые устройства, которые изготовляются главным образом из кремния.
/>
Рис. 2.13. Схематические обозначениясолнечного элемента.
Этоделается двумя способами. Первый способ — создание простого р-п-перехода (рис.2.14). При другом способе между слоями р-типа и п-типа вставляется слой нелегированногополупроводника, образуя p-i-n фотодиод (рис. 2.15).
/>/> /> /> /> />
Рис. 2.14. Фотодиод с р-п-переходом
Рис. 2.15 p-i-n фотодиод
Преимуществоp-i-n фотодиода — его быстрый отклик на изменения интенсивности света,самый быстрый из всех фоточувствительных устройств. Недостаток — низкая выходнаямощность по сравнению с другими фоточувствительными устройствами.
Фототранзисторустроен подобно другим транзисторам с двумя p-n-переходами. Он похож настандартный n-p-nтранзистор.Используется так же, как и фотодиод, и имеет корпус как у фотодиода, заисключением того, что у него три вывода (эмиттер, база и коллектор). На рис. 2.16.
показанаего эквивалентная цепь. Проводимость транзистора зависит от проводимостифотодиода. Вывод базы применяется редко. Когда он все же используется, на негоподается напряжение, открывающее транзистор.
/>
Рис. 2.16. Эквивалентнаясхема фототранзистора
Фототранзисторымогут давать больший выходной ток, чем фотодиоды. Их отклик на измененияинтенсивности света не так быстр, как у фотодиодов. В данном случае заувеличение выходного тока приходится жертвовать скоростью отклика.
На рис. 2.17изображено схематическое обозначение фототранзистора.
Фототранзисторыприменяются в фототахометрах, для управления фотографической экспозицией, впротивопожарных датчиках, в счетчиках предметов и в механических позиционерах.
/>
Рис. 2.17. Схематическоеобозначение фототранзистора
Светоизлучающие устройства
Светоизлучающиеустройства излучают свет при прохождении через них тока, преобразуяэлектрическую энергию в световую. Светоизлучающий диод (светодиод) — этонаиболее распространенное полупроводниковое светоизлучающее устройство. Будучиполупроводниковым устройством, он имеет неограниченный срок службы ввидуотсутствия высокотемпературного нагрева, основной причины выхода из строяобычных ламп.
Любой p-n-переходможет испускать свет при прохождении через него тока. Свет возникает, когдасвободные электроны рекомбинируют с дырками, и лишняя энергия освобождается ввиде света. Частота испускаемого света определяется типом полупроводниковогоматериала, использованного при изготовлении диода. Обычные диоды не излучаютсвет потому, что они упакованы в непрозрачные корпуса.
Светодиоды- это просто диоды с p-n-переходом,которые излучают свет при прохождении через них тока. Этот свет виден потому,что светодиоды упакованы в полупрозрачный материал. Частота излучаемого светазависит от материала, использованного при изготовлении светодиода. Арсенидгаллия (GaAs) излучает свет в инфракрасном диапазоне, который не воспринимаетсячеловеческим глазом. Арсенид-фосфид галлия излучает видимый красный свет.Изменяя содержание фосфора, можно получить светодиоды, излучающие светразличной частоты.
На рис. 2.18показано устройство светодиода. Слой типа р сделан тонким для того, чтобы непрепятствовать прохождению света, излучаемого р-n-переходом.
/>
Рис. 2.18. Устройствосветодиода
Послеизготовления светодиод помещается в корпус, который рассчитан на максимальноепропускание света.
Для того,чтобы светодиод излучал свет, на него должно быть подано прямое смещающеенапряжение (рис. 2.19). Для того, чтобы через светодиод шел ток, величинапрямого смещения должна превышать 1,2 вольта. Так как светодиод легко можетбыть поврежден большим током или напряжением, последовательно с ним включаетсярезистор для ограничения тока.
/>
Рис. 2.19. Светодиод,смещенный в прямом направлении.
Схематическоеобозначение светодиода показано на рис. 2.20.
/>
Рис. 2.20
На рис. 2.21 показансветодиод, образующий вместе с фотодиодом оптопару. Оба устройства размещены водном корпусе. Оптопара состоит из светодиода и фототранзистора. Они связанысветовым лучом, излучаемым светодиодом. Сигнал, поступающий на светодиод, можетменяться, что, в свою очередь, изменяет интенсивность излучаемого света.Фототранзистор преобразует изменения света опять в электрическую энергию.Оптопара позволяет передавать сигнал от одной цепи к другой, обеспечиваявысокую степень электрической изоляции их друг от друга.
/>
Рис. 2.21. Оптопара
Контрольныевопросы:
1. Чтотакое полупроводниковый материал?
2. Дайтеопределения следующим терминам:
а) ковалентнаясвязь.
б) отрицательныйтемпературный коэффициент сопротивления.
3. Почемукремний и германий считаются полупроводниковыми материалами?
4. Почемукремний предпочтительней германия?
3. Чтоопределяет тип проводимости (n-тип или р-тип) легированного полупроводника?
4. Каклегирование поддерживает ток в полупроводниковом материале?
5. Чемопределяется проводимость полупроводникового материала?
6. Какую основную функцию выполняет диод?
7. Биполярные транзисторы и принцип их работы.
8. МОП-транзисторы и их отличие от биполярного транзистора.
9. Светочувствительные и светоизлучающие элементы.
10. Что такое оптопара?
Литература:
1. Угрюмов Е.П. Проектирование элементов и узлов ЭВМ – М.; Высш. шк.,1987, с.3-5.
2. Схемотехника ЭВМ. Учебник для ВУЗов под редакцией Соловьева Г.Н. – М.;Высш. шк., 1985, с.3-8.
3. Безуглов Д.А., Калиенко И.В. Цифровые устройства и микропроцессоры.,Ростов-на-Дону, 2006 г.
4. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники. Изд. 3-е, Москва, Мир, 1986 г.