Tcad моделирование технологического процесса изготовления кремниевого вертикального моп-транзистора с двойной диффузией

УДК 621.382(06) Микроэлектроника А.В. СЕДОВ, В.О. ТУРИН, А.М. ЦЫРЛОВ1Орловский государственный технический университет1Открытое акционерное общество “ПРОТОН”, ОрёлTCAD МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО ВЕРТИКАЛЬНОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА С ДВОЙНОЙ ДИФФУЗИЕЙПроведено TCAD моделирование методом конечных элементов технологии производства кремниевого вертикального МОП-транзистора с двойной диффузией (Si-VDMOS) использующегося в оптическом реле К249КП5Р. Использование модели прибора с топологией и распределением легирующих примесей, полученными с помощью моделирования технологического процесса, повышает адекватность дальнейшего моделирования электрических характеристик прибора с использованием диффузионно-дрейфовой модели полупроводника. Получено хорошее совпадение результатов моделирования с результатами измерений.