Технология изготовления микросхем

АННОТАЦИЯ К КУРСОВОМУ ПРОЕКТУ ПО КУРСУ
               «КОНСТРУИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ МИ И МС»
                      Автор: Олейников ПС-466
  При выполнениикурсового проекта были получены как теоретические на-
выки  ( в Iсеместре 1996 года) ,  так и практические( во II семестре
1997 года).
  Изучилисобственно разработанный технологический процесс на практике
в лаборатораных условиях от начала до конца, а именно :
  1. Расчетэлементов гибридной ИМС.
  2. Разработкатопологии гибридной ИМС.
  При разработкетопологии учитывают особенности тонкопленочной техно-
логии, конструктивные и технологические ограничения.
    Разработаннаятопология должна :
  — cоответсвоватьпринципиальной электрической схеме;
  — yдовлетворятьвсем предъявленным конструктивным требованиям;
  — быть  составлена таким образом, чтобы дляизготовления  микросхемы
   требоваласьнаиболее простая и дешевая технология;
  — oбеспечитьзаданный тепловой режимы и возможность проверки элемен-
   тов в процессеизготовления;
  3. Составлениетаблицы координат  пленочныхэлементов  ГИС ,
     ( и введение вкомпьютер).
  4. Созданиефотооригинаов с помощью координатографа.
 (5. Созданиефотошаблонов (в НИИ). )
  6. Напылениеподложки с помощью установки вакуумного напыления.
  На платупервоначально напыляется сплошная пленка резистивного мате-
риала ,  а поверхнее сплошная пленка проводникового матeриала. Затем
наносится фоторезист, который экспонируется черезфотошаблон, проявля-
ется  изадубливается.  Через  окна в фоторезисте травителем удаляются
участки одновременно проводниковой и резистивной пленкитам, где в со-
ответствии с топологическим чертежом поверхность платыостается свобо-
дной.
  Далее проводитсявторая фотолитография, в результате которой селек-
тивным травителем с поверхности резистивной пленкиудаляется проводни-
ковая пленка в тех местах, где должны быть резисторы.
  Резистивные  пленки играют роль подслоя для улучшенияадгезии токоп-
роводящих пленок к плате.
  Диэлектрикипленочного конденсатора напыляются и проводниковая плен-
ка верхней обкладки напыляются через маски. Этообъясняется отсутстви-
ем  надежныхселективных травителей,  которыевоздействовали бы только
на диэлектрические пленки, не повреждая нижележащиепроводниковые.
  7. Создание масокдля диэлектрического слоя и слоя верхней обкладки
     конденсатора.
  8. Двойнаяфотолитография резистивного слоя и слоя нижней обкладки
     конденсатора.
  9. Напыление спомощью масок остальных слоев (кроме защитного).
 10. Нанесениезащитного слоя с помощью фотолитографии.
  Эти основные 10операций были успешно освоены при проведении практи-
ческой части курсового проекта.
     Задачи и целикурсового проекта выполнены :
  Задачей курсовогопроекта являлась разработка конструкции ИМС в соо-
тветствии  сзаданной в техническом задании принципиальной электричес-
кой схемой и схемы технологического процесса сборкиданной микросхемы.
  Целью  работы над курсовым проектом являлосьприобретение практичес-
ких навыков решения инженерной задачи создания конкретногомикроэлект-
ронного изделия,  атакже закрепление, углубление и обобщение теорети-
ческих знаний, приобретенных на предыдущих этапахобучения.  (В допол-
нение  в концекурсового проекта приведена схема выбранного технологи-
ческого процесса.)
  Подводя  итоги проделанной работы,  важно отметить,  что конструкция
данной микросхемы была разработана по материалам,предложенным в мето-
дической литературе по курсовому проектированию.
  Примененые  конструктивно-технологические  решения должны,  на  наш
взгляд обеспечить необходимые электро-техническиепараметры пленок.
                                — 1 –
                             СОДЕРЖАНИЕ:                           стр.
  Задание накурсовой проект и исходные данные к проекту…………1а
  ВВЕДЕНИЕ ИПОСТАHOВКА ЗАДАЧИ………………………………..2
  АНАЛИЗ ТРЕБОВАНИЙТЕХНИЧЕСКОГО ЗАДАНИЯ……………………….2
  ВЫБОР  МАТЕРИАЛОВ
    Подложки ГИС иее размеры…………………………………3
    Пленочныеэлементы: резисторы и конденсаторы……………….4
    Проводники иконтактные площадки…………………………..4
    Выбор навесныхэлементов для ГИС…………………………..5
    Kраткиехарактеристики основных методов формирования
   конфигураций элементовтонкопленочных ГИС……………………5
  РАСЧЁТ РЕЗИСТОРОВПРЯМОУГОЛЬНОЙ ФОРМЫ………………………..6
  РАСЧЁТСОПРОТИВЛЕНИЙ КОНТАКТНЫХ ПЕРЕХОДОВ ТИПА
  «РЕЗИСТОР — ПРОВОДНИК»……………………………………..10
  РАСЧЕТ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХКОНДЕНСАТОРОВ………………………….11
  РАЗРАБОТКАТОПОЛОГИИ ИМС……………………………………13
    Топологическиерасчеты……………………………………13
  СХЕМАТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕСА………………………………16
  ГРАФИЧЕСКОЕПРИЛОЖЕНИЕ (СПИСОК СХЕМ, ЧЕРТЕЖЕЙ И Т.П.)
    Маршрутныекарты технологического процесса… П1
    Схемаэлектрическая принципиальная… П2
    Расчетырезисторов… П3
    Расчетыконденсаторов… П4
    Топологическиечертежи слоев… П5
    Чертежсовмещённой топологии… П6
    Сборочныйчертёж микросхемы… П7
    Чертёжплаты… П8
  ЗАКЛЮЧЕНИЕ……………………………………………….20
   СПИСОКЛИТЕРАТУРЫ…………………………………………21

                                — 2 –
                     ВВЕДЕНИЕ И ПОСТАНOВКА ЗАДАЧИ
  Интегральнаямикросхема (ИМС) — это конструктивно законченое изделие
электронной техники, выполняющее определенную функциюпреобразования и
содержащее совокупность электрически связанных между собой электрора-
диоэлементов (ЭРЭ), изготовленных в единомтехнологическом цикле. Ра-
зличают полупроводниковые и пленочные ИМС.
  — Полупроводниковая ИМС — та микросхема, все элементы и межэлементные
соединения которой выполнены в объеме и на поверхностиполупроводника.
  — Пленочная ИМС — та микросхема, все элементы и межэлементные которой
выполнены в виде пленок.
  Гибридная ИМСсодержит, кроме пленочных элементов, также компоненты.
  В  зависимости от толщины пленок и способа их получения пленочные и
гибридные микросхемы подразделяют на тонко- итолстопленочные.
  — ТонкопленочнаяИМС — интегральная микросхема с толщиной пленок до 1
мкм, элементы которой изготавливаются преимущественнометодами вакуум-
ного распыления и осаждения .
  — ТолстопленочнаяИМС  — интегральная  микросхема с толщиной  пленок
10-70 мкм, элементы которой изготавливаются методами фарентной печати
(сеткография).
  В  нашем случае мы будем изготавливать гибриднуютонкопленочную ИМС,
так  как  последняя представляет собой комбинацию пленочных пассивных
элементов  ЭРЭ(резисторы,  конденсаторы) с миниатюрнымибескорпусными
дискретными активными приборами (транзисторы и т.п.)
  Краткаяклассификация ИМС представлена на рис. 1    [3]
                 ┌────────────────────────┐
                 │ Интегральные микросхемы│
                 └────────────┬───────────┘
       ┌──────────────────┬──┬┴────────┬─────┬────────┐
       │Полупроводниковые │ │Гибридные│    │ Прочие │
       └─┬────────────────┘  └─────────┘    └────┬───┘
┌─────────┴─┐        ┌─────────┬───────┬─────────┬┴─┬────────────┐
│Совмещенные│———│Пленочные│       │Вакуумные│  │Керамические│
└───────────┘        └─────────┘      └─────────┘ └────────────┘
                               рис. 1
  Элементы  ИМС располагаются на небольшой площади плотнодруг к другу
и  формируются  одновременно. Это обуславливает малый технологический
разброс  ихпараметров .  При разработке ИМСстремятся выбрать схемное
решение с минимальным количеством пасствныхэлементов,  так как резис-
торы и конденсаторы занимают значительную площадь платыИМС. К тому же
технологмческие возможности создания этих элементов сдостаточной точ-
ностью номиналов ограничены.
            АНАЛИЗТРЕБОВАНИЙ ТЕХНИЧЕСКОГО ЗАДАНИЯ
  МикросхемаК2УС261А обладает широкими функциональными возможностями.
Она может быть использована как дифференциальныйусилитель, широкопо-
лосный  усилитель сэмиттерным повторителем и т.п. Напряжение питания
12.6  В +/-  10%, потребляемая  мощность не более 23мВт. ИМС К2УС261А
предназначена  дляиспользования в коротковолновой и ультракоротковол-
новой радиоаппаратуре на частотах до 200 МГц.
   Срокслужбы…………………………………..15000 ч
   Максимальнаярабочая температура………………..120 С

                                — 3 –
  Анализируя схемуэлектрическую принципиальную, можно утверждать, что
данная ИМС является микросхемой 2-й степениинтеграции.  При ее произ-
водстве можно использовать различные методы формированияэлементов.  В
случае  массовогопроизводства лучше применить фотолитографический ме-
тод.  При серийноми мелкосерийном производстве больше подходит масоч-
ный метод [1]. Для упрощения технологического процесса мыбудем приме-
нять комбинированный метод:  резисторыи проводники изготовим двойной
фотолитографией, а конденсаторы — методом свободноймаски.
  Задачи и целикурсового проекта :
  Задачей курсовогопроекта является разработка конструкции ИМС в соо-
тветствии  сзаданной в техническом задании принципиальной электричес-
кой схемой и схемы технологического процесса сборкиданной микросхемы.
  Целью  работы над курсовым проектом являетсяприобретение практичес-
ких навыков решения инженерной задачи создания конкретногомикроэлект-
ронного изделия,  атакже закрепление, углубление и обобщение теорети-
ческих знаний, приобретенных на предыдущих этапахобучения.  (В допол-
нение  в концекурсового проекта приведена схема выбранного технологи-
ческого процесса.)
                     ВЫБОР  МАТЕРИАЛОВ
                Подложки ГИС и ее размеры                    [2]
                *************************
  Подложки  в ГИС служат диэлектрическим и механическимоснованием для
расположения активных и пассивных элементов, а такжепленочных и наве-
сных  элементов.  Подложка изолирует отдельныеэлементыГИС и является
теплоотводным элементом  конструкции .  Поэтому подложка должна иметь
гладкую и плоскую поверхность, высокое объемноесопротивление, химиче-
скую инертность к нанесенным пленкам,  высокую электрическую и механи-
ческую прочность, высокую рабочую температуру и небольшуюстоимость.
  Выбор того илииного материала зависит от наличия. Мы в качестве по-
дложки будем использовать либо СИТАЛЛ, либо ПОЛИКОР.  Это наиболее де-
шевые материалы , коме того, они имеют наименьший коэффициент линей-
ного расширения, что может определять стабильностьпараметров ГИС. СИ-
ТАЛЛЫ представляют собой аморфно-кристаллические стекла.Они допускают
обработку поверхности  до высокого классачистоты ,  обладают высокой
механической прочностью  и удовлетворительнойтеплопроводностью.  Эти
материалы используются в основном в маломощных ГИС, таккак имеют ма-
лую теплопроводность.
  Габаритные  размеры подложек стандартизированы.  Размеры подложек из
ситалла и поликора преимущественно 48 х 60 мм, толщина0.5-0.6 мм.
  Платытонкопленочных ГИС должны быть дешевыми, иметь высокую2 меха-
ническую прочность, теплопроводность, термостойкость ихимическую сто-
йкость.
  Высокая механическаяпрочность керамики позволяет использовать плату
в качестве детали корпуса с отверстиями, пазами, авысокая теплопрово-
дность дает возможность изготовлять мощные микросхемы.
  Самую высокуютеплопроводность имеет бериллиевая керамика, но в мас-
совом производстве  ее  не используют из-за высокой токсичности окиси
бериллия. Керамику  типа «поликор»и «ситалл»  применяют длясоздания
многослойных тонкопленочных ИМС.
  Точностьизготовления пассивной части микросхемы в значительной мере
зависит  от плоскотностии шероховатости платы.  Максимальнаякривизна
поверхности (макронеровность) не должна превышать 4 мкмна 1 мм. Шеро-
ховатость (микронеровность)  рабочейповерхности платы должна быть не
ниже 8-го класса (высота неровностей 0,32-0,63 мкм). Болеевысокая чи-
стота обработки  поверхности платы,  так как агдезия толстых пленок к
шероховатой поверхности лучше,  а влияние микронеровностей мало сказы-
вается на свойствах пленок толщиной 10-70 мкм.

                                — 4 –
  Размеры  плат определяются конкретной конструкциейкорпуса.  Толщина
плат  0,6-1,0  мм. С  учетом  выбранного металлостеклянного  корпуса
1206(153.15-1) и топологических расчетов размер платыбудет 16,0 х 15,0
мм.
            Пленочные элементы: резисторы и конденсаторы       [2]
            *********************************************
  ТонкопленочныеРЕЗИСТОРЫ являются наиболее распространенными элемен-
тами ИМС и могут быть изготовлены из разныхматериалов:  из металлов и
их сплавов, из смесей металлов и полупроводников, изсмесей металлов и
диэлектрических материалов  .   Чаще всего  используется  ХРОМ ГОСТ
5905-67, имеющий  сопротивление  квадрата пленки от 200 до 600 Ом/■ и
обладающий мощностью рассеяния около 10 мВт/мм^2. Приэтом он довольно
стабилен  вовремени.  Тонкопленочные резисторырасполагают на гладкой
поверхности защитного диэлектрика,  не содержащей ступенек.  Основными
параметрами резистивных  материалов  являются удельное сопротивление
квадрата резистивной пленки ,  температурный коэффициент сопротивления
и допустивная мощность рассеяния.
  Наилучшим  материалом для обкладок КОНДЕНСАТОРОВ является алюминий,
который, однако имеет плохую адгезию к подложке.  Обкладки конденсато-
ров должны иметь высокую проводимость,  коррозионную стойкость, техно-
логическую совместимость с материалом подложки идиэлектрика конденса-
тора:  ТКЛР,  близкие к ТКЛР подложки и диэлектрика,хорошую адгезию к
подложке и диэлектрику, высокую механическую прочность.
  Материалдиэлектрика должен иметь хорошую адгезию к подложке и мате-
риалу обкладок, обладать высокой электрической прочностьюи малыми по-
терями, иметь высокую диэлектрическую проницаемость иминимальную гиг-
роскопичность, не разлагаться в процессе формированияпленок.  При из-
готовлении  пленочных  конденсаторов рекомендуется применятьмоноокись
кремния или моноокись германия, как наиболеетехнологичные. Для созда-
ния ГИС неоходимы резистивные пленки с удельнымповерхностным сопроти-
влением  Ps  (ro) от  десятков  до десятков тысяч ом на квадрат.  Чем
меньше толщтна пленок, тем выше Рs.
                   Проводники и контактные площадки           [2]
                   ********************************
  ПРОВОДНИКИ.  Элементы ИМС  электрически соединены междусобой с по-
мощью алюминиевой разводки толщиной до 0.8 мкм.
  КОНТАКТНЫЕПЛОЩАДКИ.  Контактные площадки (КП),располагаемые обычно
по периферии полупроводникового кристалла,  служат для создания полуп-
роводниковой схемы с выводами с помощью золотых илиалюминиевых прово-
лочек  (методом  термокомпрессии).  Для КП используют тот же материал,
что и для создания разводки (обычно алюминий).
  Проводники  и контактные площадки должны иметь малоеудельное сопро-
тивление ,  хорошуюадгезию к подложке высокую коррозионную стойкость.
Для  изготовления  проводников и контактных  площадок  могут быть ис-
пользованы различные металлы,  отличающиесядруг от друга по величине
электропроводности и по прочности сцепления с подложкой.Первоначально
на  подложку  наносится пленка материала ,  имеющего хорошую адгезию к
подложке (нихром или титан),  затем — материал с высокой удельной про-
водимостью (алюминий, медь и др.),  после чего — пленкаиз материала,
обеспечивающего условия для припайки или приваркипроволочных или дру-
гих выводов,  атакже защиту проводниковой дорожки от внешних воздейс-
твий.
  Металлы ,  обладающие высокой электропроводностью,имеют, как прави-
ло, неудовлетворительную прочность сцепления сподложкой.  И лишь АЛЮ-
МИНИЙ  используетсябез подслоя в качестве материала для проводников и
контактных площадок. Остальные металлы применяют с подслоем для повы-
шения адгезии проводников к подложке.

                                — 5 –
                  Выбор навесных элементов для ГИС            [2]
                  ********************************
  Использованиенавесных элементов в ГИС чаще определяется соображени-
ями экономии места на плате или связано с трудностямиобеспечения тре-
буемых точностных характеристик пленочных элементов.  В нашем случае в
качестве  навесных  элементов ГИС применяем бескорпусныетранзисторы.В
гибридных пленочных  микросхемах широкоприменяют в качестве навесных
элементов миниатюрные полупроводниковыеприборы: транзисторы,  диоды, и
т.д.
  Важнейшимитребованиями,  предъявляемыми к этимкомпонентам ГИС, яв-
ляются  малыегабариты и вес.  Недостатком приборов сгибкими выводами
является  трудностьавтоматизации процессов их сборки и монтажа в кор-
пусе  ГИС.  Применение приборов с шариковыми выводамизатрудняет конт-
роль процеса сборки. Приборы с балочными выводами дороги,но позволяют
автоматизировать сборку, увеличивать плотность монтажа.
         Kраткиехарактеристики основных методов формирования
             конфигураций элементов тонкопленочных ГИС          [1]
        *****************************************************
  Для формированияконфигураций проводящего, резистовного и диэлектри-
ческого слоев используют различные методы:
1.  Масочный  — соответствующие  материалы напыляют на подложку через
   съемные маски
2. Фотолитографический — пленку наносят на всюповерхность подложки, а
   затемвытравливают с определенных участков
3. Электроннолучевой  — некоторые  участки пленки удаляют позаданной
   программе сподложки испарением под воздействием электронного луча.
4. Лазерный — аналогичен электроннолучевому, тольковместо электроного
применяют луч лазера.
  Наибольшеераспространение получили два первых способа , а также их
комбинации.
    МАСОЧНЫЙМЕТОД.(кратко)
 Последовательностьнапыления для масочного метода:
   1. Резисторов;
   2. Проводников иконтактных площадок;
   3. Межслойнойизоляции;
   4. Проводников;
   5. Нижнихобкладок конденсаторов;
   6. Диэлектрика;
   7. Верхнихобкладок конденсаторов;
   8. Защитногослоя;
 (При отсутствииконденсаторов исключаются операции 5-7, а при отсутс-
твии пересечений — операций 3,4)
   ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКИЙ МЕТОД. При этом методе используют два варианта
технологии.
  Первый вариант :
  1. Напылениематериала резистивной пленки;
  2. Напылениематериала проводящей пленки;
  3. Фотолитографияпроводящего слоя;
  4. Фотолитографиярезистивного слоя;
  5. Нанесениезащитного слоя;
  Второй вариант :
  1. Напылениематериала резистивной пленки;
  2. Напылениематериала проводящей пленки;
  3. Фотолитографияпроводящего и резистивного слоев;
  4. Фотолитографияпроводящего слоя;
  5. Нанесениезащитного слоя;

                                — 6 –
    КОМБИНИРОВАННЫЙМАСОЧНЫЙ И ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКИЙ МЕТОДЫ.
 При этом методетакже используют два варианта технологии.
  Первый вариант :
  1. Напылениерезисторов через маску;
  2. Напылениепроводящей пленки на резистивную;
  3. Фотолитографияпроводящего слоя;
  4. Поочередноенапыление через маску нижних обкладок, диэлектрика и
     верхнихобкладок конденсаторов;
  5. Нанеснениезащитного слоя;
  Второй вариант :
  1. Напылениерезистивной пленки;
  2. Напылениепроводящей пленки на резистивную;
  3. Фотолитографияпроводящего и резистивного слоев;
  3. Фотолитографияпроводящего слоя, напыление через маску нижних
    обкладок, диэлектрика и верхних обкладок конденсаторов;
  4. Нанеснениезащитного слоя;
  Подробнее  рассмотреть этапы метода ФОТОЛИТОГРАФИИ — см.  СХЕМА ВЫБ-
РАННОГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕСА.
             РАСЧЕТРЕЗИСТОРОВ ПРЯМОУГОЛЬНОЙ ФОРМЫ
  Как было ужесказано выше,  изготовление пленочныхрезисторов и про-
водников будет осуществляться в два этапа:  напыление пленок необходи-
мых материалов,  азатем будет произведено двойное селективное травле-
ние. Ниже представлены основные технологические параметрыэтих процес-
сов,  удельноесопротивление контакта (Rкп) взято из условия, что про-
цесс напыления пленок происходит без разгерметизациирабочей камеры.
  Погрешностьширины резистора дb……………………0.01 мм
  Погрешность длинырезистора дl…………………….0.01 мм
  Погрешностьр■…………………………………..2.5 %
  Удельноесопротивление контакта, Rкп……………….0.2 Ом мм¤
  Погрешностьсовмещения (дельта совм)……………….0.1 мм
  Минимальнаядопустимая длина резистора lmin…………0.1 мм
  Минимальнаядопустимая ширина резистора bmin………..0.1 мм
 Характеристикаматериала:
 ХРОМ.
  Сопротивлениер■…………………………………500 Ом/■
  Температурныйкоэфф. сопротивления, ТКС…………….6.10-5 Ом/ С
  Погрешностьстарения, ст………………………….0.1 %/час
  Исходнми даннымидля расчета пленочных резисторов служат номинальное
сопротивление R, рассеиваемая мощность Р, допустимая погрешность соп-
ротивления Vr.  ( Вкачестве дополнительных ограничений могут быть за-
даны рабочее напряжение Uраб, частота fраб и др.
  Вообще,  расчет резистора начинают с выбора резистивного материала.
При этом необходимо учитывать ,  что коэффициент формы тонкопленочного
резистора  прямоугольной   конфигурации  должен находиться в пределах
0.1
учитывать,  что прирасчете группы тонкопленочных резисторов, входящих
в  состав  одной ИМС и располагаемых на одной плате , крайне нежела-
тельно одинаковую толщину пленочных резисторов.

                                — 7 –
  Для нашеговарианта исходные данные представлены в таблице.1
                         Tаблица.1
┌──┬───────┬────────┬──────────────┐  а также :
│No│Номинал│ Допуск │Рассеиваемая │      — максимальнаярабочая темпе-
│  │R, Ом  │ +/- %  │ мощность     │ ратура Тmax = +60 …+120  С,
├──┼───────┼────────┼──────────────┤     — длительность работы микрос-
│1 │ 100  │+/- 14  │ 1*10^-14     │ хемы t = 12000… 15000 ч,
│2 │ 100  │+/- 14  │ 1*10^-14     │     — массовое производство,
│3 │ 1200 │+/- 20  │   0.3       │     — шаг координатнойсетки 0.01
│4 │ 30000 │+/- 14  │  3          │  мм (в зависимости от координато-
│5 │ 11000 │+/- 20  │  3          │  графа)
│6 │ 4300 │+/- 20  │   8         │     –  температурный коэффициент
│7 │ 24000 │+/- 20  │  2          │  сопротивления а RT,
│8 │ 11000 │+/- 20  │  1          │     – относительная  погрешность
│9 │ 4300 │+/- 20  │   21        │  старения  на заданное число  ча-
└──┴───────┴────────┴──────────────┘  сов Vст.
   Примечание :
  Все  расчеты были проведены на компьютере сиспользованием программ-
ного пакета «MathCAD 2.0 ver.» по методике,указанной в [2].
  Результатырасчетов указаны ниже, а также в приложении.
  Итак,
 1. Определяемудельное (оптимальное) сопротивление р■:
               n
                 Ri
              i=1
      р■=   ——–       , где n — общее количество резисторов,
              n   1
                 —-
             i=1  Ri
  Для нашеговарианта резистивный материал — ХРОМ, для которого р■ от
50 ….  600Ом.  Поэтому дальнейший расчет будемпроизводить для р■ =
= 500 Ом/■.
  2. Коэффициентформы каждого резистора:
         Кф = R /p■ ,
  Если коэффициентыформы разные ,  то есть их значения от10.
А это значит, что у резисторов :
 ┌───┐  ┌───┐
  │ ─┼───┼─ -│—         |    l      |
  │ |│   │ | │       ┌───┐            ┌───┐
  │ |│   │ | │        │ ─┼────────────┼─  │–
  │ |│   │ | │  b    │ | │           │ | │ b
  │ |│   │ | │        │ ─┼────────────┼─  │–
  │ |│   │ | │       └───┘            └───┘
  │ ─┼───┼─ -│—              (Б)
 └───┘ l└───┘
       (А)

                                — 8 –
            |             L               |
            |                            ┌───┐
            |  ┌────────────┐    ┌───────┼─-│—-
            |   │ +——–+ │    │ +—–│-| │
            |   │ |┌────┐ | │    │ |┌───┼─ │
            |   │ | │ a  │ | │    │ | │   └───┘
            |   │ | │    │ | │    │ | │           B
       ┌───┐  │ | │    │ |│    │ | │ lcp
       │ ─┼───┘ | │    │ | └—─┘ |│
        │|-│—–+ │    │ +– b—+ │
       │ ─┼───────┘   └────—─────┘————
       └───┘                 (В)
                               рис.2
    –  R1 и R2 (Кф
    –  R3, R6 и R9 (1 ширины b, (рис.2 (Б))
    –  R4, R5, R7 и R8 (Кф > 10) — форма меандра(змейка), (рис.2 (В))
  3. Относительноеизменение сопротивления при наибольшей рабочей тем-
     пературе:
      Vт = a RT (Tmax — 20 ) 100% ,
  4. Максимальнодопустимое значение относительной погрешности коэффи-
     циента формырезистора:
      Vк.ф.доп = Vr- Vp■ — Vт — Vст — Vкп,   — где
   Vr — допуск,
   Vp■  — относительная погрешность воспроизведениявеличины удельного
поверхностного сопротивления  (в зависимости отвыбранного техпроцес-
са),
   Vкп = 2 Rкп / R, задается при расчетах 2…3 %.
  5. Один  из минимальных размеров каждого резистора ( для различных
     коэффициентовформы — по-разному ), исходя из полученного значе-
     ния Vк.ф.доп:
    Найдем  для  R1и R2 (Кф
                  b +  l/Kф
       bmin [V] =———– ,
                   Vк.ф.доп
   Найдем размерыдля  R3, R6 и R9 (1 ширины b),
    (рис.2 (Б))
                  l +  b/Kф
       lmin [V] =———– ,
                  Vк.ф.доп
    Найдемгеометрические размеры для R4, R5, R7 и R8 (Кф > 10)
  (форма меандра), (рис.2 (В))
  6. Один  из минимальных размеров каждого резистора ( для различных
     коэффициентовформы — по-разному ),  исходя издопустимой рассе-
     иваемоймощности Р:
    При Кф > 1 :
                    P
       bmin [P]=  ——   , где Р0 — удельная рассеиваемая мощность.
                  P0 + Kф

                                — 9 –
    При Кф
                  P + Kф
       bmin [P]=  ——   , где Р0 — удельная рассеиваемая мощность.
                    P0
  7. Определяемодин из минимальных размеров:
     bmin = max { bmin [V], bmin [P],bmin [m] },  или
     lmin = max { lmin [V], lmin [P], lmin [m]},
    где bmin [m], lmin [m] — минимально допустимые размеры элемента,
        обусловленные технологическим процессом.
  8. Полученныезначения bmin (lmin) округляем до ближайшего большего
     размера,кратного шагу координатной сетки, равному 0.01 мм.
  9. Определяемвторой размер резистора:
     l = bо Kф,  или b = lо Kф .
  10.Округляем  полученные величины доближайшего большего значения,
      кратного шагукоординатной сетки и определяем площадь, занимае-
      муюр